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Diodo común de Schottky de la estructura del cátodo para los usos de la protección de la polaridad
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Dongguan China |
| Nombre de la marca: | Uchi |
| Certificación: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Número de modelo: | MBR10200 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | negociación |
|---|---|
| Precio: | Negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Paquete/negociación de la exportación |
| Tiempo de entrega: | negociación |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 2000000 por mes |
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Información detallada |
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| Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Producto de RoHS |
|---|---|---|---|
| Tipo del paquete: | A través del agujero | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Voltaje delantero del máximo: | 0.9V, 0.9V | Voltaje reverso del máximo: | 200V |
| Alta luz: | Diodo común de Schottky de la estructura del cátodo,Diodo de Schottky de la protección de la polaridad,30A a través del diodo del agujero |
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Descripción de producto
Diodo Schottky de estructura de cátodo común para aplicaciones de protección de polaridad
MBR10200.pdf
Un diodo Schottky es un dispositivo metal-semiconductor hecho de un metal noble (oro, plata, aluminio, platino, etc.) A como electrodo positivo y un semiconductor tipo N B como electrodo negativo, y la barrera potencial formada en el superficie de contacto de los dos tiene características de rectificación.Debido a que hay una gran cantidad de electrones en el semiconductor de tipo N y solo una pequeña cantidad de electrones libres en el metal noble, los electrones se difunden desde B con alta concentración hacia A con baja concentración.Obviamente, no hay agujeros en el metal A, y no hay difusión de agujeros de A a B. A medida que los electrones continúan difundiéndose de B a A, la concentración de electrones en la superficie de B disminuye gradualmente y la neutralidad eléctrica de la superficie se destruye. , formando así una barrera de potencial, y la dirección de su campo eléctrico es B→A.Sin embargo, bajo la acción del campo eléctrico, los electrones en A también producirán un movimiento de deriva desde A→B, debilitando así el campo eléctrico formado debido al movimiento de difusión.Cuando se establece una región de carga espacial de cierto ancho, el movimiento de deriva de electrones causado por el campo eléctrico y el movimiento de difusión de electrones causado por diferentes concentraciones alcanzan un equilibrio relativo, formando una barrera de Schottky.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
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SI (AV) |
10(2×5)A |
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VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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tj |
175 ºC |
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VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
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Modelo |
Calificación |
Paquete |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
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MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
|
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
|
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
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Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
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Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
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Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
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Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
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Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
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Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |
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