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Diodo de gran intensidad de Schottky de la resistencia para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Dongguan China |
| Nombre de la marca: | Uchi |
| Certificación: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Número de modelo: | MBR20100 |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | negociación |
|---|---|
| Precio: | Negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Paquete/negociación de la exportación |
| Tiempo de entrega: | negociación |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 2000000 por mes |
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Información detallada |
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| Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Producto de RoHS |
|---|---|---|---|
| Tipo del paquete: | A través del agujero | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Voltaje delantero máximo: | 0.9V, 0.9V | Voltaje reverso del máximo: | 200V |
| Alta luz: | Diodo de gran intensidad de Schottky de la resistencia,ISO9001 certificó el diodo de Schottky,200V a través del diodo del agujero |
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Descripción de producto
Diodo de Schottky de resistencia de gran intensidad para fuente de alimentación de interruptor de alta frecuencia
MBR20100.pdf
La estructura del circuito interno de un rectificador Schottky típico se basa en un sustrato semiconductor de tipo N, sobre el cual se forma una capa epitaxial N con arsénico como dopante.El ánodo utiliza materiales como el molibdeno o el aluminio para formar la capa de barrera.El dióxido de silicio (SiO2) se utiliza para eliminar el campo eléctrico en el área del borde y mejorar el valor de tensión soportada del tubo.El sustrato de tipo N tiene una resistencia en estado activado muy pequeña y su concentración de dopaje es un 100 % más alta que la de la capa H.Se forma una capa de cátodo N+ debajo del sustrato para reducir la resistencia de contacto del cátodo.Al ajustar los parámetros estructurales, se forma una barrera de Schottky entre el sustrato de tipo N y el metal del ánodo, como se muestra en la figura.Cuando se aplica una polarización directa a ambos extremos de la barrera de Schottky (el metal del ánodo está conectado al polo positivo de la fuente de alimentación y el sustrato de tipo N está conectado al polo negativo de la fuente de alimentación), la capa de barrera de Schottky se vuelve más estrecho y su resistencia interna se vuelve más pequeña;de lo contrario, si se aplica una polarización inversa a ambos extremos de la barrera de Schottky, la capa de la barrera de Schottky se vuelve más ancha y su resistencia interna se vuelve más grande.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
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SI (AV) |
10(2×5)A |
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VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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tj |
175 ºC |
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VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
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Modelo |
Calificación |
Paquete |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
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MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
|
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
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Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
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Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
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Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
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Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
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Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
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Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |
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