RoHS aprobó al guardia Ring For Overvoltage Protection del diodo de Schottky
Datos del producto:
Lugar de origen: | Dongguan China |
Nombre de la marca: | Uchi |
Certificación: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
Número de modelo: | MBR20150 |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | negociación |
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Precio: | Negotiation |
Detalles de empaquetado: | Paquete/negociación de la exportación |
Tiempo de entrega: | negociación |
Condiciones de pago: | T/T |
Capacidad de la fuente: | 2000000 por mes |
Información detallada |
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Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Producto de RoHS |
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Tipo del paquete: | A través del agujero | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
Voltaje delantero máximo: | 0.9V, 0.9V | Usos: | Fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor |
Alta luz: | Guardia Ring Schottky Diode,Diodo de Schottky de la protección de la sobretensión,SBD a través del diodo del agujero |
Descripción de producto
Anillo protector para diodo Schottky de protección contra sobretensiones con RoHS
Ventaja
SBD tiene las ventajas de una alta frecuencia de conmutación y un voltaje directo bajo, pero su voltaje de ruptura inversa es relativamente bajo, en su mayoría no superior a 60 V, y el más alto es de solo 100 V, lo que limita su rango de aplicación.Tales como diodos de rueda libre de dispositivos de conmutación de potencia en circuitos de fuente de alimentación conmutada (SMPS) y corrección del factor de potencia (PFC), diodos rectificadores de alta frecuencia por encima de 100 V para transformadores secundarios, diodos de alta velocidad de 600 V~1,2 kV en circuitos amortiguadores RCD, y Para los diodos de 600 V utilizados en el aumento de PFC, solo se utilizan diodos epitaxiales de recuperación rápida (FRED) y diodos de recuperación ultrarrápida (UFRD).El tiempo de recuperación inversa Trr de UFRD también es superior a 20 ns, lo que no puede satisfacer las necesidades de SMPS de 1 MHz a 3 MHz en campos como las estaciones espaciales.Incluso para un SMPS con conmutación dura a 100 kHz, debido a la gran pérdida de conducción y pérdida de conmutación de UFRD, la temperatura de la carcasa es alta y se requiere un gran disipador de calor, lo que aumenta el tamaño y el peso del SMPS, que no cumple los requisitos de miniaturización y adelgazamiento.tendencia de desarrolloPor lo tanto, el desarrollo de SBD de alto voltaje por encima de 100 V siempre ha sido un tema de investigación y un foco de atención.En los últimos años, SBD ha hecho un gran progreso, se han incluido SBD de alto voltaje de 150 V y 200 V, y también se ha desarrollado con éxito el SBD de más de 1 kV hecho de nuevos materiales, inyectando así nueva vitalidad y vitalidad en su aplicación.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
SI (AV) |
10(2×5)A |
VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
tj |
175 ºC |
VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
Modelo |
Calificación |
Paquete |
MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
||
Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
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Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
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Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
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Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |