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Altos diodos de Schottky de la frecuencia que cambian, diodos que ruedan sin pérdidas de la energía baja
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Dongguan China |
| Nombre de la marca: | Uchi |
| Certificación: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Número de modelo: | MBR20200F |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | negociación |
|---|---|
| Precio: | Negotiation |
| Detalles de empaquetado: | Paquete/negociación de la exportación |
| Tiempo de entrega: | negociación |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 2000000 por mes |
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Información detallada |
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| Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Pérdida de la energía baja, eficacia alta |
|---|---|---|---|
| Tipo del paquete: | A través del agujero | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Voltaje delantero máximo: | 0.9V, 0.9V | Usos: | Diodos que ruedan libres |
| Alta luz: | Altos diodos de Schottky de la frecuencia que cambian,Diodos que ruedan libres del CE,diodos que ruedan libres 30A |
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Descripción de producto
Frecuencia de conmutación alta de los diodos de Schottky de la pérdida de potencia baja para los diodos que ruedan libres
MBR20200F.pdf
Diodo Schottky El diodo Schottky, también conocido como diodo de barrera Schottky (SBD, por sus siglas en inglés), es un dispositivo semiconductor de ultra alta velocidad y baja potencia.La característica más notable es que el tiempo de recuperación inversa es extremadamente corto (puede ser tan pequeño como unos pocos nanosegundos) y la caída de tensión directa es de solo 0,4 V.Se utiliza principalmente como diodos rectificadores de alta frecuencia, bajo voltaje y alta corriente, diodos de rueda libre y diodos de protección.También es útil como diodos rectificadores y diodos detectores de pequeña señal en circuitos de comunicación por microondas.Es más común en fuentes de alimentación de comunicación, convertidores de frecuencia, etc.
Una aplicación típica es en el circuito de conmutación del transistor bipolar BJT, al conectar el diodo Shockley al BJT para sujetarlo, de modo que el transistor esté realmente cerca del estado apagado cuando está encendido, aumentando así la velocidad de conmutación de el transistorEste método es la técnica utilizada en los circuitos internos TTL de circuitos integrados digitales típicos como 74LS, 74ALS, 74AS, etc.
La característica más importante de los diodos Schottky es que la caída de tensión directa VF es relativamente pequeña.En el caso de la misma corriente, su caída de tensión directa es mucho menor.Además, tiene un tiempo de recuperación corto.También tiene algunas desventajas: el voltaje soportado es relativamente bajo y la corriente de fuga es ligeramente mayor.Debe considerarse de manera integral al elegir.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
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SI (AV) |
10(2×5)A |
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VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
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tj |
175 ºC |
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VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
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Modelo |
Calificación |
Paquete |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
|
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
|
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
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Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
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Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
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Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
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Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
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Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
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Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |
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