Termistor transitorio de la supresión NTC SMD del voltaje, 120pF Chip Varistor de múltiples capas
Datos del producto:
Lugar de origen: | China |
Nombre de la marca: | Uchi |
Certificación: | ROHS,REACH |
Número de modelo: | NTC QV0402E180C150T |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 1 carrete |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cinta en carrete |
Tiempo de entrega: | 2 semanas |
Condiciones de pago: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Capacidad de la fuente: | 10 mil millones por año |
Información detallada |
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Tipo: | Termistor de NTC | Características: | Cubierto con la capa de cristal, resistencia del excellenthumidity, tamaño miniatura del alto del re |
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Gama de temperaturas ancha de funcionamiento:: | -55℃~+125℃; | Características 2: | Serie de B constante para los diversos usos |
Número de parte.: | QV0402E180C150T | Capacitancia @1MHz: | 120pF, 150pF |
Ratio de fijación con abrazadera excelente y tiempo de respuesta rápido: | <0> | Proceso de fabricación: | Fórmula sintética |
Alta luz: | NTC Chip Varistor de múltiples capas,termistor de 120pF NTC SMD,150pF Chip Varistor de múltiples capas |
Descripción de producto
Supresión transitoria Chip Varistor de múltiples capas 120pF 150pF del voltaje del termistor de NTC SMD
Uso: Batería para teléfono y cargador móvil, oscilador de cuarzo, LCD, circuito de protección compensados temperatura del dispositivo del circuito de protección del microprocesador del ordenador, del circuito electrónico, del circuito integrado (IC) y de semiconductor, remuneración de temperatura de la impresora, diverso circuito de protección del conductor del jugador, intercambio programa-controlado, circuito de protección de recalentamiento del convertidor de DC/AC.
Varistor del microprocesador para la protección de las líneas eléctricas
①Tipo | |
QV | Chip Varistor |
②Dimensión externa L×W×T (milímetros) | |
0402 | 1.00×0.50×0.50 |
0603 | 1.60×0.80×0.80 |
0805 | 2.00×1.25×0.85 |
③Código de aplicación | |
E | Protección del ESD y supresión transitoria del voltaje |
④Voltaje de trabajo continuo máximo | |
5R5 | 5.5V |
180 | 18V |
⑤Capacitancia @1MHz | |
C121 | 120pF |
C150 | 15pF |
⑥Empaquetado | |
T | Cinta |
B | Bulto |
2. Estructura y dimensiones
Tipo | L (milímetro) | W (milímetro) | T (milímetro) | a (milímetro) |
0402 | 1.00±0. 10 | 0.50±0. 10 | 0.50±0. 10 | 0.25±0. 15 |
0603 | 1.60±0. 15 | 0.80±0. 15 | 0.80±0. 15 | 0.30±0.20 |
0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 0.85±0.20 | 0.50±0.30 |
Parte | ① | ② | ③ |
Componente |
Cerámica del semiconductor de ZnO para Chip Varistor |
Interno Electrodo (AG o AG-paladio) |
Electrodo terminal (Ag/Ni/Sn tres capas) |
Varistor del microprocesador para la alta supresión de la sobretensión
Estructura y dimensiones
Tipo de SMD, conveniente para el ratio de fijación con abrazadera excelente de montaje de alta densidad y el tyi fuerte del capabil de
supresión de la oleada del voltaje
Lity excelente del solderab (galjanoplastia del Sn del Ni, de i)
Usos
Utilizado para el sistema de seguridad, PLC, electrónica de automóvil, instrumento industrial, metros elegantes, equipo del control y de medida, etc.