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Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de la energía baja para la fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Dongguan China |
| Nombre de la marca: | Uchi |
| Certificación: | CE / RoHS / ISO9001 / UL |
| Número de modelo: | Diodos Schottky |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | negociación |
|---|---|
| Precio: | Negociable |
| Detalles de empaquetado: | Paquete/negociación de la exportación |
| Tiempo de entrega: | negociación |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 2000000 por mes |
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Información detallada |
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| Tipo: | Diodo de Schottky | Características: | Estructura común del cátodo |
|---|---|---|---|
| Material: | silicio | Max. Forward Current: | 30A, 30A |
| Voltaje delantero máximo: | 0.9V, 0.9V | Voltaje reverso del máximo: | 200V |
| Resaltar: | Diodo de Schottky de la eficacia alta,Diodo de la UL Schottky,Diodo de barrera de Schottky del silicio |
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Descripción de producto
Diodo de Schottky de la eficacia alta de la pérdida de potencia baja para la fuente de alimentación del interruptor de alta frecuencia
MBR10100.pdf
El diodo Schottky lleva el nombre de su inventor, el Dr. Schottky (Schottky), y SBD es la abreviatura de Schottky Barrier Diode (Schottky Barrier Diode, abreviado como SBD).SBD no se fabrica según el principio de contacto de semiconductores de tipo P y semiconductores de tipo N para formar la unión PN, sino mediante el principio de unión metal-semiconductor formada por contacto de metal y semiconductor.Por lo tanto, SBD también se denomina diodo de metal-semiconductor (contacto) o diodo de barrera de superficie, que es un tipo de diodo portador caliente.
Características
1. Estructura de cátodo común
2. Baja pérdida de potencia, alta eficiencia
3. Alta temperatura de unión operativa
4. Anillo protector para protección contra sobretensiones, alta confiabilidad
5. Producto RoHS
Aplicaciones
1. Interruptor de alta frecuencia Fuente de alimentación
2. Diodos de rueda libre, aplicaciones de protección de polaridad
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES
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SI (AV) |
10(2×5)A |
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VF (máx.) |
0.7V (@Tj=125°C) |
|
tj |
175 ºC |
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VRRM |
100 V |
MENSAJE DEL PRODUCTO
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Modelo |
Calificación |
Paquete |
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MBR10100 |
MBR10100 |
TO-220C |
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MBRF10100 |
MBRF10100 |
TO-220F |
|
MBR10100S |
MBR10100S |
TO-263 |
|
MBR10100R |
MBR10100R |
TO-252 |
|
MBR10100V |
MBR10100V |
TO-251 |
|
MBR10100C |
MBR10100C |
TO-220 |
VALORES ABSOLUTOS (Tc=25°C)
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Parámetro |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
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Voltaje inverso máximo repetitivo |
VRRM |
100 |
V |
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Tensión máxima de bloqueo de CC |
VCC |
100 |
V |
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Corriente directa promedio |
TC=150°C (TO-220/263/252 )TC=125°C(TO-220F) |
por dispositivo
por diodo |
SI (AV) |
10 5 |
A |
|
Sobretensión de corriente directa no repetitiva de 8,3 ms de media onda sinusoidal única (método JEDEC) |
IFSM |
120 |
A |
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Temperatura máxima de unión |
tj |
175 |
ºC |
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Rango de temperatura de almacenamiento |
TSTG |
-40~+150 |
ºC |
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