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Bloques de varistores de óxido de zinc metálico para frenadores de sobretensiones, utilizados para corriente continua y altas pendientes
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Dongguan, Guangdong, China |
| Nombre de la marca: | UCHI |
| Certificación: | SGS.UL |
| Número de modelo: | D42*H20 mm |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 5000pcs |
|---|---|
| Precio: | Negociable |
| Detalles de empaquetado: | A granel |
| Tiempo de entrega: | 5-7 días |
| Condiciones de pago: | T/T, Paypal, Western Union, gramo del dinero |
| Capacidad de la fuente: | 5000,000,000PCS por mes |
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Información detallada |
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| Resaltar: | Bloques de varistores de óxido metálico de zinc,Bloques de varistores de arrestores de sobretensiones,Varistor de alta pendiente de corriente continua |
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Descripción de producto
Bloques de varistores de óxido de zinc metálico para frenadores de sobretensiones, utilizados para corriente continua y altas pendientes
El Varistor de óxido de zinc es un dispositivo no lineal dependiente del voltaje que tiene características eléctricas similares a los diodos Zener de espalda a espalda.Se compone principalmente de ZNO con pequeñas adiciones de otros óxidos metálicos como el bismuto, el cobalto, el magnesio y otros. The Metal Oxide Varistor or "MOV" is sintered during the manufacturing operation into a ceramic semiconductor and results in a crystalline microstructure that allows MOVs to dissipate very high levels of transient energy across the entire bulk of the devicePor lo tanto, los MOV se utilizan típicamente para la supresión de rayos y otros transitorios de alta energía que se encuentran en aplicaciones industriales o de líneas de CA.Los MOV se utilizan en circuitos de CC como fuentes de alimentación de bajo voltaje y aplicaciones automotricesSu proceso de fabricación permite muchos factores de forma diferentes, siendo el disco con plomo radial el más común.
La estructura del cuerpo del varistor de óxido de zinc consiste en una matriz de granos conductores ZNO separados por límites de granos que proporcionan características de semiconductores de unión P ̇ N.Estos límites son responsables de bloquear la conducción a bajos voltajes y son la fuente de la conducción eléctrica no lineal a voltajes más altos.
Una propiedad atractiva del MOV es que las características eléctricas están relacionadas con el grueso del dispositivo.Cada grano ZnO de la cerámica actúa como si tuviera una unión de semiconductores en el límite del grano.
Los varistores se fabrican formando y sinterizando polvos a base de óxido de zinc en piezas cerámicas.
Los límites de los granos de ZnO se pueden observar claramente.el varistor puede considerarse un dispositivo "multi-junción" compuesto por muchas series y conexiones paralelas de límites de granoEl comportamiento del dispositivo puede ser analizado con respecto a los detalles de la microestructura cerámica.
Información sobre el producto:
Tipo: varistor D42*H20mm
Material: Varisto de óxido metálico
La solicitud de clasificación DH (norma CEI) de la detención
| Especificación | Diámetro | El grosor | Válvula de referencia de corriente continua (U1mA) | Relación máxima de tensión residual (8/20us) | Capacidad de soportar el impulso de corriente | Válvulas de tensión nominal | Capacidad máxima de absorción de energía | |
| 4/10 de nosotros | 2 ms | |||||||
| En el caso de los | En el caso de los | el kV | en 10kA | KA | A. No | el kV | Se aplicará el método siguiente: | |
| MOV36.5×20 | 36.5 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4. ¿Qué quieres decir?8 | 1.83 | 100 | 350 | 3 | 2.5 |
| MOV36.5 × 30 | 36.58 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2 a 7.0 | 1.83 | 100 | 350 | 4.5 | 2.5 |
| MOV42×20 | 42 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4. ¿Qué quieres decir?8 | 1.81 | 100 | 400 | 3 | 3.4 |
| MOV42×30 | 42 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2 a 7.0 | 1.81 | 100 | 400 | 4.5 | 3.4 |
La solicitud de la clasificación SL de los arrestos (norma CEI)
| Especificación | Diámetro | El grosor | Válvula de referencia de corriente continua (U1mA) | Relación máxima de tensión residual (8/20us) | Capacidad de soportar el impulso de corriente | Válvulas de tensión nominal | Capacidad máxima de absorción de energía | |
| 4/10 de nosotros | 2 ms | |||||||
| En el caso de los | En el caso de los | el kV | en 10kA | KA | A. No | el kV | Se aplicará el método siguiente: | |
| MOV 48×20 | 48 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4. ¿Qué quieres decir?8 | 1.76 | 110 | 600 | 3 | 4.9 |
| MOV 48×30 | 48 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2 a 7.0 | 1.76 | 110 | 600 | 4.5 | 4.9 |
| MOV52×20 | 52 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4. ¿Qué quieres decir?8 | 1.74 | 120 | 800 | 3 | 6.3 |
| MOV52×30 | 52 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2 a 7.0 | 1.74 | 120 | 800 | 4.5 | 6.3 |
La solicitud de clasificación SM (norma CEI) de la detención
| Especificación | Diámetro | El grosor | Válvula de referencia de corriente continua (U1mA) | Relación máxima de tensión residual (8/20us) | Capacidad de soportar el impulso de corriente | Válvulas de tensión nominal | Capacidad máxima de absorción de energía | |
| 4/10 de nosotros | 2 ms | |||||||
| En el caso de los | En el caso de los | el kV | en 10kA | KA | A. No | el kV | Se aplicará el método siguiente: | |
| MOV60×20 | 60 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4. ¿Qué quieres decir?8 | 1.72 | 150 | 1000 | 3 | 7.9 |
| MOV60×30 | 60 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2 a 7.0 | 1.72 | 150 | 1000 | 4.5 | 7.9 |
| MOV64×20 | 64 ± 0.5 | 20 ± 0.5 | 4.0-4. ¿Qué quieres decir?8 | 1.69 | 150 | 1100 | 3 | 8.5 |
| MOV64×30 | 64 ± 0.5 | 30 ± 0.5 | 6.2 a 7.0 | 1.69 | 150 | 1100 | 4.5 | 8.5 |
