• SOT-89 D882 NPN Transistores electrónicos encapsulados de plástico Disposición de energía
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SOT-89 D882 NPN Transistores electrónicos encapsulados de plástico Disposición de energía

SOT-89 D882 NPN Transistores electrónicos encapsulados de plástico Disposición de energía

Datos del producto:

Lugar de origen: Dongguan China
Nombre de la marca: UCHI
Certificación: Completed
Número de modelo: D882

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1000 unidades
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: Estándar
Tiempo de entrega: 3weeks
Condiciones de pago: T/T, Unión Occidental
Capacidad de la fuente: 5000 piezas
Mejor precio Contacto

Información detallada

Resaltar:

Transistores electrónicos NPN

,

Transistores electrónicos encapsulados de plástico

,

Transistores electrónicos de disipación de energía

Descripción de producto

Transistores encapsulados de plástico SOT-89 D882

 

Características
 
Disipación de energía
 
 

El número máximo Las calificaciones (T)a) el= 25°C a menos que se indique lo contrario Se ha señalado)

 

El símbolo Parámetro Valor Unidad
V.CBO Voltado de base del colector 40 V.
V.Director ejecutivo Voltado del colector-emitente 30 V.
V.El EBO Voltado de base del emisor 6 V.
Yo...C. Las Corriente del colector -continua 3 A. No
PC. Las Disposición del poder del colector 0.5 No
T.J. Temperatura del cruce 150 °C
T.el Temperatura de almacenamiento -55 ~ 150 °C

 

Características eléctricas ((Ta=25°C a menos que se especifique lo contrario)

Parámetro El símbolo Condiciones de ensayo - ¿ Qué? Tipo de producto - ¿ Qué es? Unidad
Voltado de ruptura del colector V(BR) CBO IC = 100μA, IE = 0 40     V.
Voltado de ruptura del colector-emitidor V ((BR) CEO IC = 10mA, IB = 0 30     V.
Voltado de ruptura de la base del emisor V (BR) EBO IE = 100μA, IC = 0 6     V.
Corriente de corte del colector El ICBO VCB = 40V, IE = 0     1 MPa
Corriente de corte del colector El ICEO VCE = 30V, IB = 0     10 MPa
Corriente de corte del emisor El IEBO VEB = 6V, IC = 0     1 MPa
Corriente de corriente continua ganancia HFE ((1) VCE = 2V, IC = 1A 60   400  
  hFE(2) VCE = 2V, IC = 100mA 32      
Voltado de saturación del colector-emitidor VCE (sat) IC = 2A, IB = 0,2 A     0.5 V.
Tensión de saturación del emisor base VBE (sat) IC = 2A, IB = 0,2 A     1.5 V.
Frecuencia de transición FT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     frecuencia de radio

 

Clasificación de hFE(1)

 

Clasificación R ¿ Qué? Y GR
Rango de acción 60 a 120 100 a 200 160 a 320 Entre 200 y 400

 

Típico Características

SOT-89 D882 NPN Transistores electrónicos encapsulados de plástico Disposición de energía 0

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No input file specified. SOT-89 D882 NPN Transistores electrónicos encapsulados de plástico Disposición de energía ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
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