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SOT-323 SS8050W Transistor planar epitaxial de silicio NPN para alta corriente del colector
Datos del producto:
| Lugar de origen: | Dongguan China |
| Nombre de la marca: | UCHI |
| Certificación: | Completed |
| Número de modelo: | Se aplicará el método siguiente: |
Pago y Envío Términos:
| Cantidad de orden mínima: | 1000 unidades |
|---|---|
| Precio: | Negociable |
| Detalles de empaquetado: | Estándar |
| Tiempo de entrega: | 3weeks |
| Condiciones de pago: | T/T, Unión Occidental |
| Capacidad de la fuente: | 5000 piezas |
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Información detallada |
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| Resaltar: | Se aplicará el método siguiente:,Transistores planos epitaxiales de silicio,Transistor plano epitaxial de alta corriente colectora |
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Descripción de producto
Transistor de baja ruido de alta frecuencia SOT-323
Características
- Corriente del colector.
- Complementario al SS8550W.
- Disipación del colector:PC=200mW(TC=25°C)
Las aplicaciones
- Corriente del colector.
Información sobre el pedido
No de tipo: SS8050W
Marcado: Y1
Código del paquete:SOT-323
Características eléctricas @ Ta=25 °C a menos que se especifique lo contrario
| Parámetro | El símbolo | Condiciones de ensayo | En el caso de las | Tipo de producto | Se trata de: | Unidad |
| Voltado de ruptura del colector | V(BR) CBO | IC=100μA,IE=0 | 40 | V. | ||
| Voltado de ruptura del colector-emitidor | V ((BR) CEO | IC = 2mA, IB = 0 | 25 | V. | ||
| Voltado de ruptura de la base del emisor | V (BR) EBO | IE=-100μA, IC=0 | 5 | V. | ||
| Corriente de corte del colector | El ICBO | VCB = 40V,IE = 0 | 0.1 | MPa | ||
| Corriente de corte del colector | El ICEO | VCE = 20V, IB = 0 | 0.1 | MPa | ||
| Corriente de corte del emisor | El IEBO | VEB = 5V, IC = 0 | 0.1 | MPa | ||
| Aumento de corriente continua |
hFE |
VCE = 1V, IC = 100mA | 120 | 400 | ||
| VCE = 1V, IC = 800mA | 40 | |||||
| Voltado de saturación del colector-emitidor | VCE (sat) | IC = 800 mA, IB = 80 mA | 0.5 | V. | ||
| Tensión de saturación del emisor base | VBE (sat) | IC = 800 mA, IB = 80 mA | 1.2 | V. | ||
| Voltado del emisor base | VBE | VCE = 1V IC = 10mA | 1 | V. | ||
| Frecuencia de transición | FT | VCE = 10V, IC = 50mA f = 30MHz | 100 | frecuencia de radio |
Clasificación de las hFE (en inglés) (1)
| Clasificación | - ¿ Qué? | H. | J. |
| Rango de acción | 120 a 200 | Entre 200 y 350 | Entre 300 y 400 |
TÍPICO Las características @- ¿ Qué?= 25 °Ca menos que de lo contrario especificado
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